Please use this identifier to cite or link to this item:
http://tailieuso.udn.vn/handle/TTHL_125/7849| Title: | Étude fondamentale des mécanismes physico-chimiques de gravure plasma basés sur les effets stériques et de diffusion. Comportements prévisionnels de la gravure des éléments de la colonne IV et des composés III-V par les halogènes : lois de similitude |
| Other Titles: | Nghiên cứu cơ bản các cơ chế lý-Hóa của quá trình ăn mòn bằng plasma dựa trên các hiệu ứng không gian và khuếch tán. Các hành vi dự đoán của quá trình ăn mòn các chất bán dẫn cột IV và hợp chất III-V bằng halogens |
| Authors: | Phan, Thanh Long |
| Advisor: | Lacoste, Ana, Prof. |
| Keywords: | Modèle de diffusion Semiconducteurs IV et III-V Gravure plasma Plasma micro onde Effets stériques Plasma d'halogènes |
| Issue Date: | 2013-10-23 |
| Publisher: | Université De Grenoble, France |
| Description: | Thèse de doctorat. Spécialité : Physique appliquée; 229 pages |
| Table of contents: | 1. Introduction; 2. Modèles de gravure plasma; 3. Bibliographie des résultats expérimentaux de gravure des éléments; ... |
| URI: | http://tailieuso.udn.vn/handle/TTHL_125/7849 |
| Appears in Collections: | Kỹ thuật |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| PhanThanhLong.TT.pdf | Résumé & Table des matières | 253.46 kB | Adobe PDF | View/Open |
| PhanThanhLong.TV.pdf | Texte intégral | 11.48 MB | Adobe PDF | View/Open Request a copy |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.