Please use this identifier to cite or link to this item: http://tailieuso.udn.vn/handle/TTHL_125/7100
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorNguyễn, Linh Nam-
dc.date.accessioned2017-11-15T09:22:07Z-
dc.date.available2017-11-15T09:22:07Z-
dc.date.issued2015-
dc.date.submitted2015-
dc.identifier.urihttp://tailieuso.udn.vn/handle/TTHL_125/7100-
dc.descriptionISSN 1859-1531. Tạp chí Khoa học và Công nghệ ĐHĐN, Số 01(86).2015vi
dc.language.isovivi
dc.sourceĐại học Đà Nẵngvi
dc.subjectVật liệu lớp nguyên tửvi
dc.subjectMoS2vi
dc.subjectLỗ Nanovi
dc.subjectĐiện trở khác biệt âmvi
dc.subjectDiode cộng hưởng xuyên hầmvi
dc.titleDiode cộng hưởng đường hầm làm từ vật liệu lớp nguyên tử MoS2vi
dc.title.alternativeResonant tunneling diode made up of atomic-layered MoS2 materialsvi
dc.typeArticlevi
Appears in Collections:Khoa học và Công nghệ

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
DiodeCongHuong.TT.pdfTóm tắt65.98 kBAdobe PDFView/Open
DiodeCongHuong.TV.pdfNội dung536.42 kBAdobe PDFView/Open    Request a copy


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.